正式投產之後，行動裝置的性能應該又能夠有所提升了吧

韓國半導體製造商 SK hynix 10 日透過新聞稿宣布，已經完成 8Gb LPDDR3 記憶體的開發，未來將可能帶來更高的性能與更低的功耗表現。

Sk hynix 的 8Gb LPDDR3 記憶體採用了 20nm 製程打造，將可支援在同一封裝內疊 DIE 至 4GB(32Gb)的容量，可以比過去的 4Gb 記憶體更有效的降低封裝厚度。記憶體每根接腳的 transfer rate 為 2133Mbps ，並且具有 32bit 的 I/O bus，單通道頻寬可達 8.5GB/s、雙通道 17GB/s。

新的 8Gb LPDDR3 記憶體提供多種包裝格式，可使用 PoP 或是 eMMC 等目前行動裝置相當常用的規格。

目前 SK hynix 已經向各大廠與合作夥伴開始提供相關 Sample 已供開發與驗證，預計在今年年底可以進入大量生產。

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